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半导体结构及测试系统
发布日期：2019/9/26 9:26:30
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[实用新型] 半导体结构及测试系统

  • 授权公告号：CN209434179U
  • 授权公告日：2019.09.24
  • 申请号：2018218984579
  • 申请日：2018.11.19
  • 专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
  • 发明人：周源;
     张小麟; 张志文; 李静怡; 王超; 朱林迪; 裴紫薇
  • 地址：100176北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号1幢4层4D15
  • 分类号：H01L23/544(2006.01)I  全部
    • 专利代理机构：北京成创同维知识产权代理有限公司11449
    • 代理人：蔡纯; 张靖琳
    • 同样的发明创造已同日申请发明专利
摘要： 本申请公开了一种半导体结构及测试系统。该半导体结构包括：衬底；位于所述衬底内的多个沟槽；介质层，形成于每个所述沟槽的暴露表面；以及多晶硅，填充在每个所述沟槽内部，其中，所述多个沟槽包括至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽，填充在所述第二沟槽内部的多晶硅形成所述半导体器件的栅极，每个所述第一沟槽具有闭环侧壁，位于所述第一沟槽内的多晶硅形成具有闭环边界且与所述衬底隔离的所述测试岛。该半导体结构在形成半导体器件的同时形成测试岛，在测试岛中包括具有闭环边界的多晶硅，便于对半导体器件的栅极电阻等关键参数进行更为准确的表征，从而提高产品的良率和可靠性。 

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