设备名称:电感耦合等离子体刻蚀机 
仪器型号:ICP ASE 
所属单位:西北工业大学-微/纳米实验室 
设备原值:35 万元 
制造厂商:英国STS公司 
生产国别:英国 
当前状态:对外服务 
仪器设备详细指标 
主要技术指标 0 微米深硅刻蚀 约 2.5 微米独立汽坑宽 大于 1 微米光刻胶掩膜厚度或大约 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圆形的硅暴露面积小于 10% 刻蚀速度 >2 微米/分钟 光刻胶的选择比: >50 : 1 SiO2 的选择比 >100 : 1边壁角度 : 90± 1 度 
功能/应用范围 主要用于硅材料的深槽刻蚀,同时又兼顾MEMS表面工艺中的浅硅刻蚀。   
服务领域  农/林/牧/渔  轻工/纺织  石油/石化  食品/烟草  地质/矿产  矿业/冶金  钢铁/有色金属  水文气象  非金属/珠宝  橡胶/塑料(材料)  通信/邮政  机械制造  医疗/卫生  生物/医药  地质勘探  电气工程  仪器/仪表  航空/航天  电子/信息技术  交通/运输(公路/铁路)  环保/水利/气象/天文  其它   
技术特色   
服务情况及收费标准 
对外服务(平均机时/年)   
收费标准(元/样品)   
联系方式 
联系人 马志波  
联系电话 029-88495102-8031  
传真 029-88495102  
电子邮件 zbma@nwpu.edu.cn  
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