牺牲层腐蚀技术制造的带压敏电阻的纳米梁谐振器
发布日期:2010/4/12 8:40:17
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    本发明的目的是提供一种低成本、适应检测的牺牲层腐蚀技术制造的带压敏电阻的纳米梁谐振器。本发明的器件制作工艺简单,与纳机电器件工艺兼容,而且可与静电驱动配合实现纳米梁谐振器的结构、驱动及检测三者全集成。而且不管纳米梁的尺寸如何改变,这种检测方法均是适用的。本发明的上述目的是采用如下技术方案予以实现的:包含纳米梁谐振器及其金属电极,所述纳米梁谐振器是在绝缘层上硅材料上用牺牲层腐蚀技术制作出的,利用牺牲层腐蚀技术控制纳米梁长度,在纳米梁上进行掺杂形成压敏电阻的纳米梁。本发明利用牺牲层腐蚀技术腐蚀掉纳米梁下面的二氧化硅绝缘层,使纳米梁下面悬空形成空中桥梁的结构。
  本发明的实施,可以为今后纳米谐振器降低成本、推广应用范围起到很好的作用。

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